SiC半導(dǎo)體器件相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及解讀

(1)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)包括：

①　AQG324-2021車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體功率模塊測(cè)試認(rèn)證規(guī)范

②　AEC-Q101汽車(chē)級(jí)半導(dǎo)體分立器件應(yīng)力測(cè)試

試驗(yàn)項(xiàng)目:

    高溫反向偏壓（HTRB）、高溫柵極偏壓（HTGB）、高溫高濕反向偏壓試驗(yàn)（H3TRB）、間歇運(yùn)行壽命（IOL）、功率和溫度循環(huán):秒級(jí)、分鐘級(jí)（PCs/PCmin）等。

該類(lèi)型集成的裝置主要包括環(huán)境試驗(yàn)箱、輔助供電電源模塊、樣品供電電源模塊、驅(qū)動(dòng)控制模塊、工控系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集裝置、工裝夾具等組成。公司結(jié)合目前SiC MOSFET器件的參數(shù)特點(diǎn)，提升設(shè)備的試驗(yàn)?zāi)芰Α?/span>

SiC MOSFET參數(shù)性能特點(diǎn)及對(duì)比

  SiCMOSFET器件以其耐高溫、耐高壓、高頻率、導(dǎo)通損耗小、低開(kāi)關(guān)損耗和漏電流低等特性，能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，適用于低損耗、高頻率和高溫的應(yīng)用場(chǎng)合。

為了防止觸電的發(fā)生,請(qǐng)不要掀開(kāi)儀器的蓋子。本儀器內(nèi)部所有的零件絕對(duì)不需使用者維護(hù)。如果儀器有異常情況發(fā)生，請(qǐng)尋求我實(shí)驗(yàn)室給予維護(hù)。

定期維護(hù) 

交流電源供應(yīng)器、輸入電源線各相關(guān)附件等每年至少要仔細(xì)檢驗(yàn)和校驗(yàn)一次，以保護(hù)使用者的安全和儀器的精確性。

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